碳化硅生产工艺
碳化硅陶瓷微粉生产工艺中所用设备
碳化硅振动筛分机在碳化硅陶瓷微粉生产工艺中已被广泛应用一种碳化硅陶瓷微粉的生产工艺其特征在于其步骤如下⑴取碳化硅原料经破碎机中碎并筛分至不大于5mm的碳化硅颗粒再用整形机对其举行整形至不大于2mm的碳化硅颗粒且此中卵形颗粒占80%以上再对其举行酸洗除杂干燥⑵将上述干燥后的碳化硅颗粒用磨粉机粉碎成d5095115μm的碳化硅粉粉碎时磨粉机主机电流设定为6575A风机流量设定为4050m3min阐发机转速为400600转分3然后用涡流式气流分级机对碳化硅粉举行分级分级时涡流式气流分级机的风机流量为2543m3min分级轮转速为26003300转分从分级口分出粒度ds946555μm的成品A旋风口分出ds94≤55μm的半成品⑷将涡流式气流分级机旋风口分出的半成品用叶轮式气流分级机再举行二次分级分级时叶轮式气流分级机的风机流量为2510m3min分级轮转速为13001700转分从。
碳化硅微粉生产工艺介绍
公司传真037167821530公司邮箱zztyjq@126地址郑州中原西路张寨工业园首页新闻中心公司新闻点我返回碳化硅微粉生产工艺介绍碳化硅可以称为金钢砂或耐火砂，目前我国工业生产的碳化硅分为黑色碳化硅和绿色碳化硅两种。碳化硅主要有四大应用领域，有功能陶瓷、高级耐火材料、磨料及冶金原料方面。我们今天主要来谈谈碳化硅微粉的生产工艺和加工设备。加工碳化硅微粉，首先要将碳化硅原料经过颚式破碎机进行破碎，然后筛分得到不大于5毫米的碳化硅颗粒，之后采将碳化硅加工至不大于2毫米的碳化硅颗粒，再对其酸洗除杂和干燥。碳化硅颗粒进入下一步工序，就是磨粉生产线，现在大多采用高压悬辊磨粉机来加工碳化硅粉，可以得到80400目范围内的碳化硅微粉，包装之后就可以直接销售给其他相关应用领域。在此要提醒一些客户的是，采用筛分工序，是为了将碳化硅颗粒中的一些非溶性固体物质迅速清除，得到纯度较高、质量较好。
碳化硅碳生产工艺最新精选版
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加强生产工艺管理提高碳化硅产品质量
碳化硅在现代工业生产中的应用范围比较广泛，比较为人们所了解的是应用于磨料、磨具领域。但是随着科学技术的进步，人们对碳化硅的认识也逐渐深入，由此开发了碳化硅在磨具、磨料领域之外的种种用途，例如作为耐火材料、冶金、炼钢脱氧剂、电子、陶瓷化工等。但是在这种运用过程中，人们也逐渐发现了普通碳化硅的缺陷所在，因而对碳化硅的各项性能指标提出了更高的期望和要求。高纯度、高韧性、高密度碳化硅，它在很多性能指标上与普通碳化硅有着比较大的区别。普通碳化硅只限于做普通磨料和耐火材料范畴，所以限制了普通碳化硅的使用价值和应用范围。高纯度、高韧性、高密度碳化硅产品则不同，它不但韧性好、体积密度、吸水率、气孔率和纯度等各项指标是普通碳化硅无法与之相比的，最为优越的是它加工成微粉时，化学成份不降低，化学性质和物理性能保持原有的特性。基于这样的原因，高纯度、高韧性、高密度碳化硅被推崇备至，将高质量碳化硅产。
碳化硅陶瓷工艺流程解析
碳化硅陶瓷，具有抗氧化性强，耐磨性能好，硬度高，热稳定性好，高温强度大，热膨胀系数小，热导率大以及抗热震和耐化学腐蚀等优良特性。因此，已经在石油、化工、机械、航天、核能等领域大显身手，日益受到人们的重视。例如，SiC陶瓷可用作各类轴承、滚珠、喷嘴、密封件、切削工具、燃汽涡轮机叶片、涡轮增压器转子、反射屏和火箭燃烧室内衬等等。SiC陶瓷的优异性能与其独特结构密切相关。SiC是共价键很强的化合物，SiC中SiC键的离子性仅12%左右。因此，SiC强度高、弹性模量大，具有优良的耐磨损性能。纯SiC不会被HCl、HNO3、H2SO4和HF等酸溶液以及NaOH等碱溶液侵蚀。在空气中加热时易发生氧化，但氧化时表面形成的SiO2会抑制氧的进一步扩散，故氧化速率并不高。在电性能方面，SiC具有半导体性，少量杂质的引入会表现出良好的导电性。此外，SiC还有优良的导热性。SiC具有和两种晶型。
碳化硅生产工艺
1铒离子注入碳化硅后的射程分布和射程离散全文快照秦希峰季燕菊济南大学学报自然科学版2010年2期2SiCICP背面通孔刻蚀研究全文快照周瑞张雄文微纳电子技术2010年4期3PVT生长掺VSiC单晶的扫描电镜二次电子像衬度全文快照王香泉洪颖半导体技术2010年4期4提高SiCMESFET功率增益的研究全文快照娄辰潘宏菽半导体技术2010年4期5表面平滑性出色的功率半导体用SiC外延晶圆无现代材料动态2010年3期6张力调节系统在金刚石单线切割设备上的应用全文快照衣忠波王仲康电子工业专用设备2010年4期7球磨参数对机械合金化制备碳化硅粉体的影响全文快照高丽敏王振玲表面技术2010年2期8石油焦上调价格碳化硅涨价的必然全文快照无磨料磨具通讯2010年3期9SiAIONBndedCrundumrSiCCmpsitesSynthesizedinDifferentAtmspheres。
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温馨提示我们不销售任何技术名称对应的实物产品和设备请购买实物产品和设备的朋友不要咨询谢谢!47BG20976在碳化硅中制造双极结晶体管的方法和得到的器件技术摘要提供一种在具有一般为第一导电类型的第一层碳化硅和一般为与第一导电类型相反的第二导电类型的第二层碳化硅的半导体结构中制造自对准双极结晶体管的方法。该方法包括在第二碳化硅层中形成柱状物，该柱状物具有侧壁并限定第二层的相邻水平表面在包括侧壁和水平表面的第二半导体层上形成具有预定厚度的氧化物层。形成氧化物层之后，各向异性刻蚀与侧壁相邻的一部分水平表面上的氧化物层，而至少一部分氧化物层留在侧壁上，由此露出一部分水平表面。然后用第一导电类型的掺杂剂掺杂水平表面的露出部分下面的一部分第二层，以便在第二层中形成掺杂阱区，该阱区与侧壁相隔的距离由氧化物层的厚度确定。还公开了得到的器件。48BG20976过渡金属氧化物／二氧化硅纳米复合。