
微波烧结MicrwaveSintering是一种新型、高效的烧结技术,具有传统烧结技术无可比拟的优越性.本文在不添加任何烧结助剂的前提下,采用高纯微米级氮化铝AlN粉,在1700。C/2h的微波低温烧结工艺条件下制备出透明度较高的A1N透明陶瓷.分析结果表明,采用微波低温烧结工艺制备的A1N透明陶瓷晶粒尺寸细小。
微波烧结设备主要应用于烧结各种高品质的陶瓷、氮化硅、碳化硅、氧化铝、氮化铝、氧化锆等烧结电子陶瓷器件PZT压电陶瓷、压敏电阻等。所谓微波烧结或微波燃烧合成是指用微波辐照来代替传统的热源。均匀混合的物料或预先压制成型的料坯通过自身对微波能量的吸收或耗散达到一定的高温,从而引发燃烧合成反应或完成烧结过程。由于它与传统技术相比较,属于两种截然不同的加热方式。
刊名佛山陶瓷2005123939烧结体氮化铝半导体制造检测设备含碳基材体积电阻率温度显示器覆盖能力准确度文摘本发明目的是提供一种能保持108Ωcm或更大体积电阻率的氮化铝烧结体,能保证覆盖能力、大的辐射热量和用温度显示器测定时的准确度。本发明的含碳氮化铝烧结体在其氯化铝构成的基体中包含极少量的碳。下载地址点此下载。
aluminumnitrideceramicsinteringundernrmalpressuredensificatinantihydrlysis氮化铝陶瓷导热性能良好是集成电路基板和电子封装的理想材料。但氮化铝为强共价键结合物熔点高自扩散系数小通常需要热压烧结才能制备出高致密的氮化铝陶瓷。并且氮化铝对氧的亲和力很强在陶瓷制备过程中容易引入氧杂质造成导热性下降。本文通过常压烧结氮化铝陶瓷研究了不同制备工艺和选取不同烧结助试剂对氮化铝陶瓷的的烧结过程的影响。通过分析氮化铝陶瓷制备过程中引入氧杂质的情况研究了氮化铝粉末热氧化和水解氧化行为并以此为基础研究了氮化铝陶瓷制备工艺对氮化铝氧化的影响。结果表明氮化铝热氧化过程在800℃下便可以进行并且粒径较小的氮化铝粉末更易被氧化。而氮化铝水解氧化过程有一个较长时间的起始阶段此阶段反应进行较缓慢。在陶瓷烧结过程中利用碳黑埋粉可产生碳热。
前言本论文探索了AlN陶瓷的烧结技术,利用本实验室原位合成技术合成的AlN粉末制备出了高致密,高导热的AlN陶瓷。研究了AlN陶瓷的常压烧结技术。通过热力学条件和相图的分析,选择Y2O3、Li2O、CaO、B2O3等氧化物作为烧结助剂。研究了烧结助剂、烧结温度、保温时间等工艺条件对AlN材料的致密度和物相组成的影响。研究表明在烧结过程中,烧结助剂能与AlN颗粒表面的Al2O3层反应生成低熔点的铝酸盐液相如YAG,进而通过液相烧结促进致密化。通过XRD分析发现,在较低的烧结温度下,烧结助剂未能充分发挥作用。另外,本文对低温烧结助剂的选择作了初步的尝试,选择了CaOCaF2SiO2体系作为烧结助剂。结果表明该助剂系统对烧结有一定的促进作用,但作用不够显著。研究了AlN陶瓷的放电等离子烧结SPS技术。研究表明SPS是一种快速、高效的烧结技术。与传统的烧结方式相比,大大降低了烧结温。
博库价24元定价28折扣857折立即节省4元评价已有人评价库存作者李小雷出版社冶金工业ISBN9787502451523开本32开页数233页20100801第1版20100801第1次印刷编辑推荐语本书是在作者的博士论文《AlN陶瓷的高压烧结研究》的基础上加以改进完善而成的。本书的主要内容共分9章内容包括氮化铝陶瓷结构、性能粉体的制备氮化铝陶瓷的烧结方法等。本书重点阐述了氮化铝陶瓷的高压烧结对氮化铝粉体的高压烧结特性、显微结构及导热性能、烧结助剂的选用、氮化铝高压烧结体的结构调整、氮化铝高压烧结体的残余应力及高压烧结机理进行了探讨和分析。另外本书收录了作者发表于国外期刊杂志的英文文章3篇希望能对有兴趣搞科研的读者提供一定的帮助。内容提要本书综合介绍了氮化铝粉体的制备、氮化铝陶瓷的制造工艺及应用状况。重点阐述了氮化铝陶瓷的高压烧结对氮化铝粉体的高压烧结特性、显微结构及导热性。
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